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    • 產品名稱:ICP刻蝕機

      產品型號:NRE-4000(ICPM)

      產品報價:

      產品特點:NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕機:是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統,系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪崿F范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

      NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕機的詳細資料:

      ICP等離子刻蝕機

      NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕機概述:是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統,系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果??蓪崿F范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕III-V化合物(如GaAs,InP,GaN,InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。

      NRE-4000(ICPM)ICP刻蝕機主要特點:

      • 基于PC控制的立柜式百級ICP-RIE刻蝕系統,擁有快速的刻蝕能力;
      • 配套Lab View軟件,菜單驅動,自動記錄數據;
      • 觸摸屏監控;
      • 全自動系統,帶安全聯鎖;
      • 四級權限,帶密碼保護;
      • 手動上下載片;
      • 可以支持ICP和RIE兩種刻蝕模式;
      • 實時顯示真空、功率、反射功率圖表,以及流量實時顯示;

      NRE-4000(ICPM)配置內容:

      • 外觀尺寸:緊湊型立柜式設計,不銹鋼腔體,外觀尺寸為44(W) x 26(L) x62(H);
      • 等離子源:NM-ICP平面電感耦合等離子體源,帶有自動調諧器,激活面積可以達到8”;
      • 處理腔體:13的圓柱形超凈腔體,材質為陽極電鍍鋁。晶片通過氣動頂蓋裝載,腔體帶有上載安全鎖,用戶可以通過PC控制,至多可以裝載8個小尺寸基片,可支持的晶圓尺寸為8。腔體帶有2的觀察窗口。腔體頂部的噴嘴式氣流分配裝置,提供8”區域的氣體均勻分布。系統帶暗區保護。
      • 樣品臺:6的托盤夾具,能夠支持6的Wafer??梢岳鋮s到-120攝氏度(包含LN2循環水冷系統),并采用He氣實現背部冷卻和自動鎖緊,微精細地控制He氣流量,包含氣動截止閥;
      • 流量控制:支持6個或更多的MFC’s 用于ICP高速刻蝕,帶氣動截止閥,所有的慢/快通道采用電磁閥和氣動閥控制,電拋光的不銹鋼氣體管路帶有VCRVCO(壓控振蕩器)配件,所有導管以盡可能短的導軌密封設計,從而減低空間浪費并達到快速的氣路切換。所有處理氣體的管路在處理結束后,采用N2自動沖洗。
      • 真空系統:泵組包含渦輪分子泵和旋葉真空泵。
      • RF電源:13.56MHz,帶自動調諧功能的1200W射頻電源,作為ICP源。另外,帶自動調諧功能的600W射頻電源用于基臺偏壓。
      • 操作控制:整個系統通過預裝的Lab View軟件和觸摸監控系統,實現PC全自動控制。MFC,閥和頂蓋都是氣動式的,都可PC控制。系統的實時壓力和直流自偏壓以圖表格式顯示,而流量和功率則以字母數字形式顯示。系統提供密碼和安全連鎖機制的四級權限控制。

      NRE-4000(ICPM)應用領域:

      • LED
      • MEMS
      • 光柵
      • 激光器
      • 微光學
      • 聲光器件
      • 高頻器件/功率器件
      • 量子器件
      • 光子晶體
      • 探測器等

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