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ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統
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ICPECVD沉積技術
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統概述:NANO-MASTER ICPECVD系統能夠沉積高質量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可達6” 直徑的基片上.該系統采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產生等離子,具有分形氣流分布的優勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產生偏壓。并可以支持加熱和循環冷卻水的冷卻.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,腔體可以達到低至10-7 torr的真空。標準配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統的平面中空陰極等離子源使得系統可以滿足廣大范圍的要求,無論是等離子強度、均勻度,還是要分別激活某些活性組份,這樣系統可以覆蓋z廣的可能性來獲得各種沉積參數。
NPE-4000(ICPM)ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統應用:
NPE-4000(ICPM)特點: